人造宝石、半导体提纯
氧化锆、氧化镁、三氧化二铝等金属氧化物的熔炼、拉晶；锗、硅半导体区溶提纯及金属合金。
适用范围
- 氧化锆、氧化镁、三氧化二铝等金属氧化物的熔炼、拉晶；锗、硅半导体区溶提纯及金属合金。
技术特点
- 1)采用冷坩埚/真空区熔工艺，感应器采用变频升降机升降，速度可调节。
- 2)固态高频MOSFET电源，逆变侧PSM阻抗匹配技术，可实现电源全加热范围内的恒功率控制，确保人造宝石品质，工艺稳定。
- 3)和原电子管高频电源相比，节电率30%以上，并且工艺可控性好。
- 4)低压谐振，电磁辐射小，工作环境安全。
- 5)采用PLC+HMI，可灵活设置熔炼和拉晶过程的电源输出功率和时间，减少工人操作。
典型案例—氧化锆人造宝石
典型案例—三氧化二铝（蓝宝石）熔炼
典型案例—锗区熔提纯
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联系方式
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